[发明专利]互补场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种互补场效应晶体管及其制备方法，包括：半导体衬底，位于半导体衬底中的相互隔离的N型场效应晶体管和P型场效应晶体管；N型场效应晶体管包括第一锗纳米线、包围在第一锗纳米线四周的第一III‑V化合物层、位于第一III‑V化合物层上的第一势垒层、第一栅介质层和第一栅电极，以及分别位于第一栅电极两侧的第一源区和第一漏区；P型场效应晶体管包括第二锗纳米线、包围在第二锗纳米线四周的第二III‑V化合物层、位于第二III‑V化合物层上的第二势垒层、第二栅介质层和第二栅电极，以及分别位于第二栅电极两侧第二源区和第二漏区。本发明互补场效应晶体管形成二维电子气和二维空穴气，且为栅极全包围的器件，载流子迁移率高。

主权项

1.一种互补场效应晶体管，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的N型场效应晶体管，所述N型场效应晶体管包括第一锗纳米线、包围在第一锗纳米线四周的第一III‑V化合物层、位于所述第一III‑V化合物层上的第一势垒层、第一栅介质层和第一栅电极，以及分别位于所述第一栅电极两侧的第一源区和第一漏区；第一势垒层与第一III‑V化合物层之间形成N型场效应晶体管的异质结结构，并在第一III‑V化合物层中靠近第一势垒层的界面处形成二维电子气；位于所述半导体衬底中的P型场效应晶体管，所述P型场效应晶体管与所述N型场效应晶体管之间通过介质层隔离，所述P型场效应晶体管包括第二锗纳米线、包围在第二锗纳米线四周的第二III‑V化合物层、位于所述第二III‑V化合物层上的第二势垒层、第二栅介质层和第二栅电极，以及分别位于所述第二栅电极两侧第二源区和第二漏区；第二锗纳米线和第二III‑V化合物层之间形成P型场效应晶体管的异质结结构，并在第二锗纳米线中靠近第二III‑V化合物层的界面处形成二维空穴气。