[发明专利]一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201510671943.1 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN105280617A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 尹湘坤;朱樟明;杨银堂;李跃进;丁瑞雪 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙) 11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构及其制造方法。一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构，从外向内依次为半导体衬底、重掺杂硅屏蔽层、介质层和金属柱层，重掺杂硅屏蔽层的厚度为0.1～1μm，介质层的厚度为0.1～1μm；金属柱层的半径为2～5μm。一种重掺杂硅屏蔽硅通孔的制造方法，包括(1)在半导体衬底上通过反应离子的方式刻蚀通孔；(2)在通孔的内表面通过高温扩散和离子注入制备重掺杂硅屏蔽层；(3)在通孔的内表面通过化学气相淀积法制备介质层；(4)在介质层的表面通过物理气相淀积法制备金属柱层，直至完全填满为止；(5)在半导体衬底和硅通孔的上表面进行化学机械抛光，直到半导体衬底和硅通孔的上表面平整后为止。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 屏蔽 硅通孔 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种重掺杂硅屏蔽硅通孔结构，其特征在于，从外向内依次为半导体衬底、重掺杂硅屏蔽层、介质层和金属柱层，所述重掺杂硅屏蔽层的厚度为0.1～1μm，所述介质层为二氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层中的一种，所述介质层的厚度为0.1～1μm，所述金属柱层的半径为2～5μm。
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