[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510672757.X | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105895684B | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 裴风丽;亢国纯;裴轶 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆;胡彬 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上分散分布的多个器件单元，所述多个器件单元以M行N列的矩阵形式分布在所述半导体层上，其中M和N均大于等于1且M和N不同时等于1；其中，单个器件单元包括至少一个基本器件，单个基本器件包括源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极，所述至少一个基本器件位于有源区上。本发明能够解决难以降低半导体器件中心温度的问题，改善了沟道散热效果，降低了沟道温度，提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上分散分布的多个器件单元，所述多个器件单元以M行N列的矩阵形式分布在所述半导体层上，其中M和N均大于等于1且M和N不同时等于1；其中，单个器件单元包括至少一个基本器件，所述单个基本器件包括由外向内对称分布的一对漏极、一对栅极以及中间的一个源极，所述至少一个基本器件位于有源区上；或者，所述单个基本器件包括源极、漏极以及位于源极和漏极之间的栅极，所述栅极为星形发散状结构，所述至少一个基本器件位于有源区上；或者，所述单个基本器件包括由外向内对称分布的一对漏极、一对第一栅极以及中间的一个源极，所述至少一个基本器件位于有源区上；所述单个基本器件还包括位于无源区上，且与所述第一栅极垂直且连接所述第一栅极的第二栅极；或者，单个基本器件包括源极、漏极以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极，所述至少一个基本器件位于有源区上；且所述单个器件单元的所述源极共同形成T型分布，并集中分布在所述单个器件单元的中部，且所述源极的方向一致。
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