[发明专利]一种高晶体密度球形化NTO晶体及制备方法在审
| 申请号： | 201510673200.8 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105274625A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 郭学永;卢佳骥;焦清介;张静元;张朴;崔超;张洪垒;李航 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08 |
| 代理公司： | 北京思创毕升专利事务所 11218 | 代理人： | 韦庆文 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高晶体密度球形化NTO晶体及其制备方法，所述晶体中NTO含量≥99.9％，所述晶体密度≥1.92g/cm3，所述晶体短长轴比≥0.90，所述晶体的中位粒径范围为150～200μm。所述高晶体密度球形化NTO晶体的制备方法，包括如下步骤：(1)将NTO和溶剂加入反应釜内进行充分溶解，反应釜温度为40～80℃；(2)边搅拌边降低反应釜温度，形成过饱和溶液后晶核生成并成长；(3)待晶体完全析出后，低温﹣5～0℃搅拌1-5小时；(4)过滤、干燥、称重。所述晶体粒度分布窄，外观观测晶体球形度高，表面光滑，晶面无裂纹。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 密度 球形 nto 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高晶体密度球形化NTO晶体，其特征在于，所述晶体中NTO含量≥99.9％，所述晶体密度≥1.92g/cm3，所述晶体短长轴比≥0.90，所述晶体的中位粒径范围为150～200μm。
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