[发明专利]具有硅侧壁间隔件的金属栅极有效
| 申请号： | 201510674125.7 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105529270B | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 方文翰;巫柏奇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括在电介质中形成开口以呈现突出的半导体鳍，在突出的半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极电介质，以及在栅极电介质上方形成导电扩散阻挡层。导电扩散阻挡层延伸至开口内。该方法还包括形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的硅层，以及对硅层实施干蚀刻以去除硅层的水平部分和垂直部分。在干蚀刻之后，形成位于导电扩散阻挡层上方并且延伸至开口内的导电层。本发明的实施例还涉及具有硅侧壁间隔件的金属栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 间隔 金属 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：在电介质中形成开口以呈现突出的半导体鳍；在所述突出的半导体鳍的侧壁和顶面上形成栅极电介质；在所述栅极电介质上方形成导电扩散阻挡层，其中，所述导电扩散阻挡层延伸至所述开口内；形成位于所述导电扩散阻挡层上方并且延伸至所述开口内的硅层；对所述硅层实施干蚀刻以去除所述硅层的水平部分和垂直部分，并且保留在所述开口的底部拐角处的硅拐角间隔件；以及在所述干蚀刻之后，形成位于所述导电扩散阻挡层上方并且延伸至所述开口内的导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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