[发明专利]发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201510674946.0 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105355740A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 黄冠英;吴俊毅;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，其中发二极管包括：外延叠层，至下而上依次包含：n型欧姆接触层、第一n型转换层、n型蚀刻停止层、第二n型转换层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型转换层和p型窗口层；p电极，位于所述p型窗口层的上表面之上；金属键合层，位于所述n型欧姆接触层的下表面之上，其中对应于所述p电极位置的部分向上延伸贯穿所述n型欧姆接触层、第一n型转换层层，至所述n型蚀刻停止层，形成调整电流分布结构，从而当注入电流时，电流不向所述p电极的正下方的外延叠层流入；导电基板，位于所述金属键合层的下表面之上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：外延叠层，至下而上依次包含：n型欧姆接触层、第一n型转换层、n型蚀刻停止层、第二n型转换层、n型限制层、有源层、p型限制层、p型转换层和p型窗口层；p电极，位于所述p型窗口层的上表面之上；金属键合层，位于所述n型欧姆接触层的下表面之上，其中对应于所述p电极位置的部分向上延伸贯穿所述n型欧姆接触层、第一n型转换层层，至所述n型蚀刻停止层，形成调整电流分布结构，从而当注入电流时，电流不向所述p电极的正下方的外延叠层流入；导电基板，位于所述金属键合层的下表面之上。
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