[发明专利]压力传感芯片及其加工方法有效
| 申请号： | 201510676138.8 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN105203251B | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 邓佩刚;熊伦;王宁 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | G01L9/10 | 分类号： | G01L9/10;G01L9/12;G01L1/14;G08C17/00;B81B3/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 许美红 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种压力传感芯片及其加工方法，其中芯片包括上层结构和下层结构；下层结构包括下层衬底片，其上设有串联的MEMS平行平板电容和MEMS电感；上层结构包括上层衬底片、MEMS压力感应膜、MEMS电容介质板和金属层，MEMS压力感应膜固定在上层衬底片上，且置于下层衬底片上方，MEMS电容介质板和金属层均固定在MEMS压力感应膜的下表面；MEMS电容介质板置于电容的两个电极板之间，金属层位于MEMS电感的上方；MEMS压力感应膜受压产生纵向位移，并带动MEMS电容介质板和金属层移动，使得MEMS电容介质板插入MEMS平行平板电容的深度发生改变，且金属层与MEMS电感之间的磁间隙也发生变化。 | ||
| 搜索关键词： | 电容介质 金属层 压力感应膜 衬底片 电感 平行平板电容 压力传感芯片 上层结构 下层结构 下层 上层 纵向位移 磁间隙 电极板 下表面 电容 受压 加工 串联 芯片 移动 | ||
【主权项】：
一种压力传感芯片，其特征在于，包括相连接的上层结构和下层结构；所述下层结构包括下层衬底片，该下层衬底片上设有串联的MEMS平行平板电容和MEMS电感线圈结构；上层结构包括上层衬底片、MEMS压力感应膜、MEMS电容介质板和金属层， MEMS压力感应膜固定在上层衬底片上，且置于下层衬底片上方，MEMS电容介质板和金属层均固定在MEMS压力感应膜的下表面上；MEMS电容介质板置于MEMS平行平板电容的两个电极板之间，金属层位于MEMS电感的上方；MEMS压力感应膜受压产生纵向位移，并带动MEMS电容介质板和金属层移动，使得MEMS电容介质板插入MEMS平行平板电容的深度发生改变，且金属层与MEMS电感线圈结构之间的磁间隙也发生变化；所述金属层为MEMS电感软磁合金层；上层衬底片和下层衬底片通过键合工艺连接成一个整体。
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