[发明专利]一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201510676326.0 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN106591820B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 熊天英;沈艳芳;杨阳;宋婉;冯博;吴杰;吴中泽;侯涛;李茂程;刘伟杰;郁忠杰;唐伟东 | 申请（专利权）人： | 沈阳富创精密设备有限公司 |
| 主分类号： | C23C24/04 | 分类号： | C23C24/04 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110168 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及冷喷涂制备陶瓷涂层领域，特别是一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法。该方法主要包括以下操作步骤：(1)零件无涂层区域的防护；(2)零件喷涂区域的表面预处理；(3)采用高纯氧化钇粉末，纯度≥99.9wt％、平均粒度为2～50μm；(4)采用低压冷喷涂系统进行快速喷涂，获得高纯氧化钇涂层。相比于传统的热喷涂，冷喷涂能够有效地减少和降低对基体的热输入，因此，适宜于在铝及铝合金等IC装备用关键零部件表面喷涂涂层。本发明采用的冷喷涂方法，其喷涂温度仅为100～1000℃，远远低于等离子喷涂所需的温度(即氧化钇的熔点温度2410℃以上)；冷喷涂制备的氧化钇涂层质量稳定、厚度均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钇涂层 冷喷涂 高纯 关键零部件 制备 熔点 制备陶瓷涂层 表面预处理 等离子喷涂 低压冷喷涂 无涂层区域 氧化钇粉末 有效地减少 表面喷涂 厚度均匀 快速喷涂 喷涂区域 平均粒度 质量稳定 传统的 铝合金 热喷涂 热输入 氧化钇 喷涂 防护 | ||
【主权项】：
1.一种IC装备关键零部件用高纯氧化钇涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)喷涂前对喷涂基体进行彻底清洗，并对基体待喷涂以外的区域进行有效地保护；2)在冷喷涂装置的送粉器中加入待喷涂的高纯氧化钇粉体；3)采用冷喷涂装置，在基体待喷涂部位进行喷涂，获得高纯氧化钇涂层；冷喷涂工艺参数如下：送粉的气体温度100～1000℃，送粉的气体压力0.5～5MPa，粉体的移动速度50～1500m/min，喷涂距离10～40mm，送粉速率10～150g/min；高纯氧化钇涂层的厚度为50～500μm；高纯氧化钇粉末的化学成分按重量百分比为：Y2O3≧99.9％，粒度范围为2～50μm；高纯氧化钇粉末的粒度要求为：粒度<35μm的粉末，其质量百分含量大于95％；粒度35μm～45μm的粉末，其质量百分含量小于3％；余量为粒度>45μm的粉末。
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