[发明专利]一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法在审
| 申请号： | 201510678412.5 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105200514A | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 董永军;华伟;陈伟 | 申请（专利权）人： | 南京光宝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 殷红梅;张涛 |
| 地址： | 210038 江苏省南京市栖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法，属于晶体生长技术领域。其晶体生长后期的降温过程中，保持晶体与剩余熔体接触，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得生长余料不撑大坩埚。采用本发明进行提拉法晶体生长时，通过边降温边提拉的方法，使铱金坩埚内的剩余熔体结晶收缩，使得剩余的生长余料不撑大坩埚，便于取出余料，大大延长了铱金坩埚的使用寿命，降低了损耗，节约了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提拉法 生长 晶体 过程 保护 坩埚 方法 | ||
【主权项】：
一种提拉法生长晶体过程中保护铱金坩埚的方法，其特征是步骤如下：（1）晶体生长：在铱金坩埚中采用提拉法生长晶体；晶体的重量为原料的1/3‑1/4，坩埚壁上端有40‑50mm的裸露；晶体生长经过下种，缩颈，放肩，等径生长后，停止生长；（2）提拉：直接快速向上提拉晶体，直至晶体的下端锥底与熔体接触圆面直径为5‑15mm，停止向上提拉晶体，保持晶体尾部与熔体接触不脱离；（3）降温：开始降温，降温速率设为20‑50℃/h；在降温的同时，再次开始向上提拉晶体，提拉速度设定为0.3‑1mm/h；向上提拉3‑8小时后停止提拉，之后降温至室温；（4）后处理：降温结束后取出晶体及坩埚，用铁棒在余料与坩埚粘结点旁边轻敲几下，然后再轻轻晃动晶体几下之后，晶体连同生长余料一同与坩埚脱离，取出。
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