[发明专利]量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜光敏传感器制备工艺

摘要

本发明公开了一种基于量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜光敏传感器的制备工艺，通过将氧化石墨烯纳米片分散液旋涂在SiO₂衬底上，再用量子点杂化氧化石墨烯纳米薄膜，然后在保护气氛中进行量子点杂化氧化石墨烯纳米薄膜光化学还原，最后制作电极，从而获得量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜光敏传感器。用此方法制备出的量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜光敏传感器具有工艺简单、易于操作、制造设备要求低等优点，而且制备出来的石墨烯纳米薄膜光敏传感器的光电性能非常优异，适合应用于对光敏性要求较高的器件。

主权项

量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜光敏传感器制备工艺，其特征在于，工艺步骤如下：S1、在衬底上组装20～100nm厚的氧化石墨烯纳米薄膜；S2、对步骤S1制得的氧化石墨烯纳米薄膜进行量子点杂化；S3、在保护气氛下进行光化学还原，得到量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜；S4、在步骤S3制得的量子点杂化还原氧化石墨烯纳米薄膜上制作标准电极，得到光敏传感器。