[发明专利]TFT及其制造方法、驱动电路和显示装置有效
| 申请号： | 201510680211.9 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105185839B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 崔贤植;田正牧 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336;H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 鞠永善 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT及其制造方法、驱动电路和显示装置，属于显示领域。包括：栅极；在所述栅极上形成有栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有第一极，所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠；在所述第一极上形成有半导体层，所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠；在所述半导体层上形成有第二极，所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接，所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠；其中，所述第一极与所述第二极形成高度差。本发明能够解决显示装置的集成度较低的问题，本发明能够实现在提高开态电流的情况下，保证显示装置的集成度的有益效果，本发明用于显示装置的制造。 | ||
| 搜索关键词： | tft 及其 制造 方法 驱动 电路 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种TFT，其特征在于，包括：栅极；在所述栅极上形成有栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有第一极，所述第一极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极不重叠；在所述第一极上形成有半导体层，所述半导体层在所述栅极所在层的正投影与所述栅极部分重叠；在所述半导体层上形成有第二极，所述半导体层分别与所述第一极、所述第二极连接，所述第二极在所述栅极所在层的正投影与所述栅极重叠；其中，所述第一极与所述第二极形成高度差，所述第二极在所述第一极所在层的正投影与所述第一极部分重叠，所述第一极与所述第二极之间的沟道区域的长度等于所述第一极与所述第二极的高度差，所述长度所在方向平行所述高度差所在方向。
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