[发明专利]一种TEM芯片样品的标记方法有效
| 申请号： | 201510680560.0 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105136545B | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 陈强;袁安东 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TEM芯片样品的标记方法，使用TEM将芯片样品上距离目标区域0.2μm～3μm范围内的部分损伤，形成非晶圈，非晶圈半径小于所述非晶圈到所述目标区域的距离。本发明提供的TEM芯片样品的标记方法使得在需要使用透射电镜观察的目标区域附近部分损伤，由于使用TEM里的电子束，可精确控制损伤形成的非晶圈的位置和半径，可以减少对目标区域的误伤率，也可以对具有目标区域下方造成损伤标记，使得在使用透射电镜观察分析TEM芯片样品时，立刻能寻找出需要观察分析的目标区域，减少在观察分析TEM芯片样品时因为寻找目标区域而浪费的时间，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tem 芯片 样品 标记 方法 | ||
【主权项】：
1.一种TEM芯片样品的标记方法，其特征在于，使用透射电镜的电子束将芯片样品上距离目标区域0.2μm～3μm范围内的硅衬底的晶格改变，将晶格改变部分形成晶格改变圈，所述晶格改变圈的半径小于所述晶格改变圈到所述目标区域的距离，其中，使用透射电镜的电子束将芯片样品上距离所述目标区域0.2μm～3μm范围内的硅衬底部分的晶格损伤形成非晶，所述晶格改变圈即为非晶圈，透射电镜的电子束光斑直径在5nm以内，透射电镜的电子束的曝光时间为20sec～30sec，使用透射电镜的电子束将芯片样品上距离所述目标区域0.4μm处的硅衬底的晶格损伤。
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