[发明专利]QLED及QLED显示装置的制备方法在审
| 申请号： | 201510680902.9 | 申请日： | 2015-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN105336879A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈亚文;闫晓林 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适提供了一种QLED的制备方法，包括以下步骤：提供一阳极；提供含有量子点发光材料和空穴传输材料的混合溶液，且所述混合溶液包括第一溶剂和第二溶剂，其中，所述第一溶剂对所述量子点发光材料的溶解度＞10mg/ml、对所述空穴传输材料的溶解度＜0.1mg/ml，且所述第一溶剂的沸点＞200℃，所述第二溶剂的沸点＜150℃；将所述混合溶液印刷在所述阳极上，形成半固化混合薄膜；在所述半固化混合薄膜表面涂覆沸点＜100℃的第三溶剂，使得所述半固化混合薄膜在所述阳极上形成依次层叠的空穴传输层和量子点发光层，其中，所述第三溶剂与所述第一溶剂互溶、且不溶解所述空穴传输材料；在所述量子点发光层上沉积阴极。 | ||
| 搜索关键词： | qled 显示装置 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种QLED的制备方法，包括以下步骤：提供一阳极；提供含有量子点发光材料和空穴传输材料的混合溶液，且所述混合溶液包括第一溶剂和第二溶剂，其中，所述第一溶剂对所述量子点发光材料的溶解度＞10mg/ml、对所述空穴传输材料的溶解度＜0.1mg/ml，且所述第一溶剂的沸点＞200℃，所述第二溶剂的沸点＜150℃；将所述混合溶液印刷在所述阳极上，形成半固化混合薄膜；在所述半固化混合薄膜表面涂覆沸点＜100℃的第三溶剂，使得所述半固化混合薄膜在所述阳极上形成依次层叠的空穴传输层和量子点发光层，其中，所述第三溶剂与所述第一溶剂互溶、且不溶解所述空穴传输材料；在所述量子点发光层上沉积阴极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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