[发明专利]一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法

摘要

本发明提供一种双管芯的Trench MOSFET及其加工方法，其中双管芯的Trench MOSFET包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N-外延层，N-外延层的中间和两侧分别设置有P-body层，P-body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，第一Trench槽和第二Trench槽之间为不连续的P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽贯穿P-body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构，第一Trench槽左侧的P-body层的上部设置有第一Drain区。本发明将两个MOSFET各自独立的Ring结构合并为一个Ring结构，在不影响产品性能的前提下，达到减少单颗MOS的面积，增加单片有效管芯数，降低成本的优点。

主权项

一种双管芯的Trench MOSFET，其特征在于：包括N+衬底层，N+衬底层上设置有N‑外延层，N‑外延层的中间和两侧分别设置有P‑body层，P‑body层的左右两侧分别设置有第一Trench槽和第二Trench槽，第一Trench槽和第二Trench槽之间为不连续的P‑body层，第一Trench槽和第二Trench槽贯穿P‑body层，第一Trench槽和第二Trench槽内设置有Poly结构，第一Trench槽左侧的P‑body层的上部设置有第一Drain区，第二Trench槽右侧的P‑body层的上部设置有第二Drain区，P‑body层、第一Trench槽和第二Trench槽上设置有介质层，介质层上左右两侧分别设置有第一Metal层和第二Metal层，第一Metal层穿过介质层与第一Drain区连接，第二Metal层穿过介质层与第二Drain区连接。