[发明专利]新型太赫兹超导调制器及调制方法在审
| 申请号： | 201510685790.6 | 申请日： | 2015-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN105301804A | 公开（公告）日： | 2016-02-03 |
| 发明（设计）人： | 张彩虹;李春;金飚兵;户国梁;陈健 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02F1/01 | 分类号： | G02F1/01;G02F1/00;G02B1/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型太赫兹超导调制器，包括由金膜构成的电极、氧化镁基片和生长在所述氧化镁基片上的氮化铌薄膜，所述氮化铌薄膜包括多个周期排列的单元结构，所述单元结构由鱼鳞状结构谐振器与双L型结构谐振器复合构成，每排所述鱼鳞状结构谐振器彼此相连后并联在两端的电极上。本发明还公开了制备上述新型太赫兹超导调制器的方法以及利用所述新型太赫兹超导调制器的调制方法。本发明结构简单、新颖，使用的超导材料氮化铌，在太赫兹波段比常规金属材料具有极低的欧姆损耗，并具有良好的调谐性能，同时可利用很小的电压实现较大的透射峰调制率，调制方法简单快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 新型 赫兹 超导 调制器 调制 方法 | ||
【主权项】：
一种新型太赫兹超导调制器，其特征在于，包括由金膜构成的电极、氧化镁基片和生长在所述氧化镁基片上的氮化铌薄膜，所述氮化铌薄膜包括多个周期排列的单元结构，所述单元结构由鱼鳞状结构谐振器与双L型结构谐振器复合构成，每排所述鱼鳞状结构谐振器彼此相连后并联在两端的电极上。
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