[发明专利]一种新型稳定的g-C3N4/NiO光电阴极的制备方法在审
| 申请号： | 201510686192.0 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105336498A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 董玉明;陈艳美;王光丽;蒋平平;赵辉 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | H01G9/042 | 分类号： | H01G9/042;H01G9/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214122 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型g-C3N4/NiO光电产氢电极的制备方法，属于无机化学和光电催化技术领域。所述的g-C3N4光吸收剂，是一种非金属，无毒且易得的材料。本发明解决了现有技术中一般使用有毒的金属镉系硫属化合物为吸光剂的问题，首次采用g-C3N4作为光电阴极吸光剂和助催化剂。本发明的制备方法如下：一、以FTO导电玻璃为基底，采用水热法制得有序的NiO膜；二、把上一步制得的NiO/FTO电极浸泡在饱和硫脲溶液中4h，置于马弗炉中，500℃煅烧2h，取出即得g-C3N4/NiO/FTO电极。制备方法简便易行，有利于大规模应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 稳定 sub nio 光电 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种g‑C3N4/NiO光电阴极的制备方法，其特征在于制备过程按如下步骤进行：(1)FTO导电玻璃的表面预处理把FTO导电玻璃先依次在无水乙醇，丙酮中浸泡两小时，然后再在2mol/L氢氧化钾的异丙醇溶液中加热回流30min；(2)水热法制备NiO/FTO电极将FTO玻璃放入0.25mol/LNi(NO3)2·6H2O和0.25mol/L六次甲基四胺的混合水溶液中，100℃加热12min，取出，用去离子水清洗、晾干，放在马弗炉中450℃煅烧2h，即可得NiO/FTO电极；(3)采用热聚合法制备g‑C3N4/NiO光电阴极把上述所制得的NiO/FTO电极浸入到饱和硫脲溶液中浸泡4h，取出晾干，之后把吸附上硫脲的NiO/FTO电极置于管式炉中，在N2气氛下，500℃煅烧2h，取出即可得g‑C3N4/NiO/FTO。
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