[发明专利]一种电能表的电量数据存储方法有效

专利信息
申请号: 201510686445.4 申请日: 2015-10-21
公开(公告)号: CN105334383B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 郑坚江;季上满;应必金;陈恢云 申请(专利权)人: 宁波三星医疗电气股份有限公司
主分类号: G01R22/00 分类号: G01R22/00
代理公司: 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 代理人: 代忠炯
地址: 315100 浙江省宁波市鄞*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种电能表的电量数据存储方法,在上电时对计算得到的校验码和预先存储在非易失存储器内的初始校验码进行比较,在下电时,对当前电量数据进行校验和存储,并且在电能表运行过程中既对电量数据进行累加更新,而且还在每次存储更新的电量数据时对电量数据进行校验,保证了电量数据的准确性,此外还利用了非易失存储器定期对电量数据进行存储和备份,防止了数据的丢失,存储更加可靠。
搜索关键词: 电量数据 存储 电能表 非易失存储器 校验码 存储更新 预先存储 运行过程 校验 校验和 备份 累加 上电 更新 保证
【主权项】:
1.一种电能表的电量数据存储方法,所述电能表包括MCU、计量芯片和非易失存储器,所述计量芯片和非易失存储器均与MCU电连接,其特征在于:它包括以下步骤:(1)电能表上电,MCU开始计时,自动设置存储在MCU的RAM存储器内的第一电量数据A1的初始值、第一校验码B1的初始值、预设的计数值C、预设的存储次数D、预设的备份时间E、电量累加值△A,自动设置存储在非易失存储器的第一存储区内的第二电量数据A2的初始值和第二校验码B2的初始值,以及非易失存储器的第二存储区内的第三电量数据A3的初始值和第三校验码B3的初始值;(2)MCU自动读取刚上电时的RAM存储器中的第一电量数据A1,根据第一电量数据A1自动计算第四校验码B4,比较第四校验码B4和第一校验码B1,若两者一致,则进入步骤(3),若两者不一致,则自动设置A1=A2,B1=B2,并进入步骤(3);(3)MCU自动读取计量芯片的快速脉冲计数寄存器的计数值C1,若计数值C1到达预设的计数值C,则MCU自动将计量芯片的快速脉冲计数寄存器的计数值C1清零并进入步骤(4),若否,则返回步骤(3)重新读取;(4)MCU自动读取RAM存储器中的第一电量数据A1,根据第一电量数据A1自动计算第四校验码B4,比较第四校验码B4和第一校验码B1,若两者一致,则进入步骤(5),若两者不一致,则自动设置A1=A2,B1=B2,并进入步骤(5);(5)MCU自动对第一电量数据A1进行更新,设置A1=A1+△A,电量累加值△A为快速脉冲计数寄存器的计数值C1到达预设的计数值C的电量变化值,根据更新后的第一电量数据A1自动计算第四校验码B4,并自动设置B1=B4,存储次数D1自动加1;(6)MCU自动判断电能表是否断电,若是,则进入步骤(10),若否,则进入步骤(7);(7)判断存储次数D1是否到达预设的存储次数D,若是,则存储次数D1自动清零并进入步骤(8),若否,则MCU自动判断计时时间是否到达预设的备份时间E,若是,则重新开始计时并进入步骤(9),若否,则返回步骤(3);(8)将RAM存储器中的第一电量数据A1和第一校验码B1存储到非易失存储器的第一存储区中,即自动设置A2=A1,B2=B1,并返回步骤(3);(9)将RAM存储器中的第一电量数据A1和第一校验码B1存储到非易失存储器的第二存储区中,即自动设置A3=A1,B3=B1,并返回步骤(3);(10)MCU自动读取RAM存储器中的第一电量数据A1,根据第一电量数据A1自动计算第四校验码B4,比较第四校验码B4和第一校验码B1,若两者一致,则将RAM存储器中的第一电量数据A1和第一校验码B1存储到非易失存储器的第一存储区中,即自动设置A2=A1,B2=B1,并结束电量数据存储等待电能表重新上电,若两者不一致,则直接结束电量数据存储并等待电能表重新上电。
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