[发明专利]一种密封微孔敞口的工艺在审
| 申请号： | 201510687617.X | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105330336A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 王德强;赵越;陆文强;崔洪亮;杜春雷 | 申请（专利权）人： | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 赵荣之 |
| 地址： | 400714 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种密封微孔敞口的工艺，利用Au催化辅助化学气相沉积生长技术，在带有微米孔的Si3N4衬底上制备了ZnO纳米结构，实现表面封孔的目的。封孔过程从孔壁向孔的中心平面沉积，通过沉积的温度和时间来控制微孔表面的沉积速率,最终形成氧化锌薄膜。所述氧化锌薄膜包括由交叉生长的氧化锌纳米线、纳米片或纳米柱构成的氧化锌纳米线层，形成的纳米材料结构确定、有序、可实现高的比表面积。经封孔处理后的Si3N4可作为承载、透波和热防护材料，可用于半导体纳米材料技术领域，多形态的ZnO纳米结构易刻蚀而使后继工艺加工更方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 密封 微孔 敞口 工艺 | ||
【主权项】：
一种密封微孔敞口的工艺，其特征在于，使用Au催化辅助化学气相沉积法在含有微孔的基底上沉积ZnO纳米镀层，在Ar与O2的存在条件下，保持气压为25‑45KPa，温度为900～1000℃进行沉积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院重庆绿色智能技术研究院，未经中国科学院重庆绿色智能技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510687617.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种有机肥制粒设备
- 下一篇：一种铁口泥套泥及其制备方法和使用方法
