[发明专利]发光二极管结构在审

专利信息
申请号: 201510688065.4 申请日: 2011-07-13
公开(公告)号: CN105390581A 公开(公告)日: 2016-03-09
发明(设计)人: 陈正言;赖育弘 申请(专利权)人: 新世纪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种发光二极管结构,包括第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一单元。发光层配置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。至少一单元包括第一电极以及第二电极,第一电极配置于第一型掺杂半导体层上,且包括多个第一分支部。第二电极配置于第二型掺杂半导体层上,且包括多个第二分支部。第一电极及第二电极暴露该单元的中间区域,且中间区域位于多个第二分支部之间,第二电极位于多个第一分支部之间。因此,本发明的发光二级管结构具有高发光效率。
搜索关键词: 发光二极管 结构
【主权项】:
一种发光二极管结构,其特征在于,包括:第一型掺杂半导体层;第二型掺杂半导体层;发光层,配置于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间;以及至少一单元,包括:第一电极,配置于所述第一型掺杂半导体层上,所述第一电极包括多个第一分支部;以及第二电极,配置于所述第二型掺杂半导体层上,所述第二电极包括多个第二分支部,所述第一电极及所述第二电极暴露所述单元的中间区域,且所述中间区域位于所述多个第二分支部之间,所述第二电极位于所述多个第一分支部之间。
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