[发明专利]一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件在审
| 申请号： | 201510688708.5 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN105390540A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张鹏;宓珉翰;何云龙;张濛;马晓华;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L29/423;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 徐文权 |
| 地址： | 710065 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上表面且采用T型结构。本发明在Fin-HEMT器件中加入了T型栅结构，能够有效提高沿栅电流传导方向的栅金属截面积，同时由于电流主要在T型栅金属的上层传导，有效的降低了Fin-HEMT器件的实际栅金属长度，有效减小栅极分布寄生电阻，提高器件的微波性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 gan 异质结 材料 fin hemt 器件 | ||
【主权项】：
一种基于GaN异质结材料的Fin‑HEMT器件，其特征在于：在HEMT器件的异质结平面材料上通过光刻并刻蚀形成有平行且间隔设置的多个Fin，在该Fin上设置有T型结构并为梳齿状的栅。
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