[发明专利]一种氮化物白光发光二极管有效
| 申请号： | 201510689197.9 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105226147B | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 郑锦坚;杨焕荣;寻飞林;廖树涛;李智杰;伍明跃;周启伦;林峰;李水清;康俊勇 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/08;H01L33/44 |
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| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化物白光发光二极管，包括衬底；外延层；N型电极以及P型电极；通过在衬底和外延层上分别形成沟道，并在沟道上形成低导热系数材料的温度隔离层，使单一芯片形成三个独立温区（I/II/III区），在I/II/III区的外延层侧壁和衬底背面形成高导热系数材料的控温层，分别用于控制外延层和衬底的温度，从而根据热膨胀系数差异，分别调节I/II/III区的氮化物和衬底的晶格常数，进而调节氮化物受到的双轴应力，而量子阱受不同双轴应力的作用会改变导带底和价带顶的位置，改变禁带宽度和发光波长，从而通过调节双轴应力可调控同一铟组分的发光二极管实现红、绿、蓝光的发光，实现单一芯片的白光发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 白光 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种氮化物白光发光二极管，包括：衬底；N型氮化物、量子阱和P型氮化物构成的外延层；N型电极以及P型电极；通过在衬底和外延层上分别形成沟道，并在沟道上形成低导热系数材料的温度隔离层，使单一芯片形成三个独立温区：I/II/III区，在I/II/III区的外延层侧壁和衬底背面形成高导热系数材料的控温层，分别用于控制外延层和衬底的温度，从而根据热膨胀系数差异，分别调节I/II/III区的氮化物和衬底的晶格常数，进而调节氮化物受到的双轴应力，而量子阱受不同双轴应力的作用会改变导带底和价带顶的位置，改变禁带宽度和发光波长，从而通过调节双轴应力可调控同一铟组分的发光二极管实现红、绿、蓝光的发光，实现单一芯片的白光发射。
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