[发明专利]图像传感器和包括其的电子设备在审
申请号: | 201510689323.0 | 申请日: | 2015-10-21 |
公开(公告)号: | CN106206628A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 杨允熙 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;许伟群 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种图像传感器,包括:衬底,包括用于多个单元像素的光电转换元件,多个单元像素被二维地布置成像素阵列;光传输构件,位于衬底上;网格结构,位于光传输构件中并具有多个层;以及光收集构件,位于光传输构件上,其中,网格结构根据多个单元像素在像素阵列中的位置针对多个单元像素的相应主光线角而倾斜。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 包括 电子设备 | ||
【主权项】:
一种图像传感器,包括:衬底,包括用于多个单元像素的光电转换元件,所述多个单元像素被二维地布置成像素阵列;光传输构件,位于衬底上;网格结构,位于光传输构件中并具有多个层;以及光收集构件,位于光传输构件上,其中,网格结构根据像素阵列中的位置针对单元像素的相应的主光线角而倾斜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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