[发明专利]石墨烯复合体及其制造方法有效
| 申请号： | 201510689739.2 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN105399081B | 公开（公告）日： | 2017-11-03 |
| 发明（设计）人： | 长谷川正治;神谷渚 | 申请（专利权）人： | 石墨烯平台株式会社 |
| 主分类号： | C01B32/19 | 分类号： | C01B32/19 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 丁香兰,庞东成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供使用有石墨烯前体的石墨烯复合体及其制造方法。其是母材中至少分散有石墨系碳原材料的一部分剥离出的石墨烯的石墨烯复合体，所述石墨烯是平均尺寸为100nm以上的结晶，并且是层数为10层以下的薄片状或片状，所述石墨系碳原材料基于X射线衍射法的由如下(式1)定义的比例Rate(3R)为31％以上。Rate(3R)＝P3/(P3+P4)×100····(式1)此处，P3是菱方晶系石墨层(3R)的基于X射线衍射法的(101)面的峰强度P4是六方晶系石墨层(2H)的基于X射线衍射法的(101)面的峰强度。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨 复合体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种石墨烯复合体，其是母材中至少分散有石墨系碳原材料的一部分剥离出的石墨烯的石墨烯复合体，其特征在于，被剥离前的所述石墨系碳原材料具有菱方晶系石墨层(3R)和六方晶系石墨层(2H)，所述菱方晶系石墨层(3R)与所述六方晶系石墨层(2H)的基于X射线衍射法的由如下(式1)定义的比例Rate(3R)为31％以上，Rate(3R)＝P3/(P3+P4)×100····(式1)此处，P3是菱方晶系石墨层(3R)的基于X射线衍射法的(101)面的峰强度，P4是六方晶系石墨层(2H)的基于X射线衍射法的(101)面的峰强度，所述石墨烯是平均尺寸为100nm以上的结晶，并且是层数为10层以下的薄片状或片状。
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