[发明专利]一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法在审
| 申请号： | 201510690191.3 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN105390382A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄森;刘新宇;王鑫华;魏珂;包琦龙;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/45;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法，该方法包括：在III族氮化物欧姆接触区域注入N型杂质；在注入N型杂质的III族氮化物欧姆接触区域之上淀积欧姆金属；采用微波退火技术在低温下实现欧姆接触。在III族氮化物欧姆接触区域注入N型杂质之后，该方法还包括：采用微波退火技术激活注入的N型杂质。本发明利用微波退火方法，一方面可实现注入N型杂质在III族氮化物中的低温激活，以便形成N型重掺杂层，提高电子隧穿几率，降低欧姆接触电阻；另一方面，可增强欧姆金属与III族氮化物半导体的界面反应，降低接触势垒，提高欧姆接触面积，进一步降低接触电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 iii 氮化物 电子器件 低温 欧姆 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
一种III族氮化物电子器件低温欧姆接触的制作方法，其特征在于，该方法包括：在III族氮化物欧姆接触区域注入N型杂质；在注入N型杂质的III族氮化物欧姆接触区域之上淀积欧姆金属；采用微波退火技术在低温下实现欧姆接触。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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