[发明专利]一种基于双层诱导技术制备红荧烯薄膜的方法

摘要

本发明设计了一种双层诱导红荧烯薄膜生长的制备方法，即通过增加有效诱导层的层数来诱导红荧烯薄膜生长，在高质量双层诱导层上外延生长高有序、高结晶性的红荧烯薄膜，通过调控外延层生长行为、结晶度和薄膜微结构，实现有机—有机外延生长关系，构筑高有序、高结晶性的多晶形态的红荧烯薄膜，达到提高其迁移率的目的。

主权项

本发明是一种基于双层诱导技术制备红荧烯薄膜的方法，实现过程为：Si基底(1)， SiO₂绝缘层 (2) ，厚300 nm；六联苯(p‑6P)第一诱导层(3)，衬底温度为180 ℃，厚度为3 nm，α‑4噻吩(α‑4T)第二诱导层(4)，衬底温度为20 ℃，厚度为30 nm，红荧烯有源层(5)，衬底温度设为20 ℃，厚度在30 nm。