[发明专利]图形化衬底、制备方法及发光二极管在审
| 申请号： | 201510691884.4 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105355739A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 徐志波;李政鸿;谢翔麟;王肖 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种图形化衬底、制备方法及发光二极管，通过在具有复数个凸起的衬底表面沉积介质层，利用介质层的非晶体特性，使得PVD法沉积于凸起的侧面和顶面平台的氮化铝层为非晶态，而覆盖于凸起间隙的平整表面的氮化铝是由微小晶粒组成的多晶。随后该衬底应用于MOCVD法沉积氮化镓基外延层形成发光二极管时，利用在平整面上的氮化铝多晶态更易生长，而非晶态氮化铝不易沉积氮化镓基外延层的特性，外延层选择性生长于凸起间隙的平整表面氮化铝层上，而凸起侧面和顶面平台不易生长，减小侧面氮化镓基外延层生长，降低侧向生长的氮化镓基外延层与平整表面上正向生长的氮化镓基外延层合并时缺陷数量，提升最终形成的半导体元件的性能。同时，由于抑制了侧向氮化镓基外延层生长，正向生长的氮化镓基外延层更容易合并成一个平整表面。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 衬底 制备 方法 发光二极管 | ||
【主权项】：
图形化衬底，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面均匀分布有复数个凸起，所述各个凸起之间具有间隙，其特征在于：所述凸起表面沉积有介质层，所述凸起间隙的表面无所述介质层；所述介质层的表面及所述凸起间隙的表面沉积有氮化铝层，所述介质层表面的氮化铝层抑制图形化衬底表面的侧向外延生长。
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