[发明专利]全串联的高功率密度LED芯片封装结构

摘要

本发明属于半导体照明器件技术领域，具体为全串联的高功率密度LED芯片封装结构。所述封装结构包含N×M个单芯片封装器件，排列成N行M列结构，外部用绝缘框箍紧；每个单芯片封装器件的正极导电柱与相邻封装基座的负极金属管电连接，形成全串联封装结构。所述单芯片封装器件的结构，中间为方形导电柱，方形导电柱外层是内绝缘导热层；内绝缘导热层外面是金属管。LED芯片底部的P极与所述器件的方形导电柱或导电板连接；LED芯片顶部N极的焊盘与金属管或金属环电连接。本发明的封装结构，将所有高功率密度LED芯片全部串联，在实现十千瓦级大功率LED器件封装的同时，可以减小电源导线的线径，避免超大电流对线路安全性造成隐患。

主权项

1.全串联的高功率密度LED芯片封装结构，其特征在于：所述封装结构包含N×M个单芯片封装器件，N≥1，M≥1，排列成N行M列结构，外部用绝缘框箍紧；每个单芯片封装器件的正极导电柱与相邻封装基座的负极金属管电连接，形成全串联封装结构；所述单芯片封装器件的结构类似于方形同轴电缆，中间为方形导电柱，方形导电柱外层是内绝缘导热层；绝缘导热层外面是方形金属管；相邻器件的金属管之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘；或者：所述单芯片封装器件中间为方形导电板，方形导电板外层是内绝缘导热层；内绝缘导热层外面是方形金属环；相邻器件的金属环之间采用外绝缘导热层进行电气绝缘；所述的N×M个单芯片封装器件用绝缘箍紧后，底部抛光，用导热绝缘胶与导热绝缘板粘接，形成可通过超大电流的封装基板。