[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：鳍结构，设置在衬底上方；栅极结构，设置在鳍结构的部分上方；源极/漏极结构，其包括鳍结构中未被栅极结构覆盖的部分；层间介电层，形成在鳍结构、栅极结构和源极/漏极结构上方；接触孔，形成在层间介电层中；以及接触材料，设置在接触孔中。鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，上层的部分从隔离绝缘层暴露。栅极结构在与第一方向垂直的第二方向上延伸。本发明还提供了一种制造包括FinFET的半导体器件的方法。

主权项

一种制造包括FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，所述上层的部分从隔离绝缘层暴露；在所述鳍结构中形成源极/漏极结构；在所述鳍结构的部分上方形成栅极结构，所述栅极结构在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；在所述鳍结构、所述源极/漏极结构和所述栅极结构上方形成层间介电层；在所述层间介电层中形成接触孔，从而暴露出所述源极/漏极结构；在所述接触孔中形成覆盖层；以及在所述覆盖层上方形成接触金属层。