[发明专利]基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器

摘要

本发明提供一种基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器，包括：四组主开关器件构成单相H桥式结构，每组主开关器件包括N个并联的碳化硅MOSFET，每个碳化硅MOSFET的源极和漏极之间反并联一个寄生二极管，第一组主开关器件和第二组主开关器件设置在正极直流母排上，以形成单相H桥式结构的第一臂和第二臂；第三组主开关器件和第四组主开关器件设置在负极直流母排上，以形成单相H桥式结构的第三臂和第四臂。根据本发明实施例的基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器，显著提高器件的功率密度，同时简化电路结构，提升器件的电气性能和可靠性。

主权项

一种基于碳化硅MOSFET的串联谐振逆变器，其特征在于，包括：四组主开关器件，条形的正极直流母排和负极直流母排，以及第一输出排和第二输出排，其中，每组所述主开关器件包括N个并联的且沿第一方向线性排列的碳化硅MOSFET，N为正整数，每个所述碳化硅MOSFET的源极和漏极之间反并联一个寄生二极管，所述四组主开关器件构成如下的单相H桥式结构：第一组主开关器件和第二组主开关器件沿所述第一方向依次设置在所述正极直流母排上，以形成所述单相H桥式结构的第一臂和第二臂；第三组主开关器件和第四组主开关器件沿所述第一方向依次设置在所述负极直流母排上，以形成所述单相H桥式结构的第三臂和第四臂；所述正极直流母排和所述负极直流母排沿第二方向并排设置并以第一间距相互间隔开；所述第一输出排和所述第二输出排分别设置在所述正极直流母排和所述负极直流母排之间的间隔区域并以第二间距相互间隔开；所述第一输出排用于将所述单相H桥式结构的第一臂与第三臂相连接；所述第二输出排用于将所述单相H桥式结构的第二臂与第四臂相连接。