[发明专利]一种N型碳化硅肖特基二极管结构在审
| 申请号： | 201510694903.9 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN106611776A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 苏冠创;黄升晖 | 申请（专利权）人： | 南京励盛半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/16;H01L29/872 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种N型碳化硅肖特基二极管结构，包括以下特征在N型碳化硅肖特基二极管器件体内没有P型掺杂区，其中至少有一个沟槽，这沟槽的深度为0.5um至6.0um之间，宽度为0.4um至4.0um之间，沟槽内壁(侧边和底部)有一介质层物质，厚度为0.01um至1um，沟槽中间填以导电物质。这种沟槽结构是用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层，避免电场过度集中而引起器件局部提早击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 肖特基 二极管 结构 | ||
【主权项】：
一种N型碳化硅肖特基二极管结构包括以下部分：(1)有源区和终端区；(2)有源区和终端区体内没有P型掺杂区；(3)终端区内至少有一个沟槽用来扩展器件在反向偏置时的耗尽层。
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