[发明专利]用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件在审

专利信息
申请号: 201510695059.1 申请日: 2015-10-22
公开(公告)号: CN105305787A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 李亚斌;李臣;柴艳鹏;王飞;张克斌 申请(专利权)人: 保定四方三伊电气有限公司
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 071051 河北*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明提供一种用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件,包括:驱动板,驱动板用于将外部信号产生单元产生的脉冲信号进行放大以得到驱动信号;一个或多个门极PCB板,其中一个或多个并行连接的碳化硅MOSFET中的每个分别通过一个对应的门极PCB板直接连接至驱动板,以使驱动信号以一个或多个门极PCB板为媒介传输至一个或多个碳化硅MOSFET。通过采用门极PCB板作为传输途径,保持脉冲驱动信号在传输过程中的波形稳定性,降低杂散参数的干扰,提高抗干扰性能,从而解决高频高压条件下碳化硅MOSFET的驱动问题。
搜索关键词: 用于 碳化硅 mosfet 逆变器 驱动 器件
【主权项】:
一种用于碳化硅MOSFET逆变器的驱动器件,其特征在于,包括:驱动板,所述驱动板用于将外部信号产生单元产生的脉冲信号进行放大以得到驱动信号;一个或多个门极PCB板,其中一个或多个并行连接的碳化硅MOSFET中的每个分别通过一个对应的门极PCB板直接连接至所述驱动板,以使所述驱动信号以所述一个或多个门极PCB板为媒介传输至所述一个或多个碳化硅MOSFET。
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