[发明专利]栅极槽过蚀刻控制

摘要

本申请案涉及栅极槽过蚀刻控制。一种用于存储器装置的栅极槽蚀刻的方法(100)。使用第一曝光及第一蚀刻过程由在第一方向中定向的栅极电极材料层形成栅极电极线(102)。使用第二曝光及第二蚀刻过程在所述栅极电极线中形成在正交于所述第一方向的第二方向中定向的槽(103)，其中所述第二蚀刻过程包含经定界过蚀刻量BOA，其设定经定界的物理槽宽度(经定界槽宽度)。所述BOA由从所述存储器装置获取的实际电测试数据来确定，其包含：识别<来自与过短的所述物理槽宽度相关联的第一电故障模式的所述BOA的更低过蚀刻量，及识别>来自与过长的所述物理槽宽度相关联的第二电故障模式的所述BOA的更高过蚀刻量。

主权项

一种用于包含存储器装置的集成电路IC的栅极槽蚀刻方法，其包括：提供包含在其中具有界定至少用电介质材料作内衬的作用区域的沟槽的半导体表面，及作用区域上的栅极电介质材料上的栅极电极材料层的衬底；使用第一曝光及第一蚀刻过程由在第一方向中定向的所述栅极电极材料的所述层形成栅极电极线；使用至少第二曝光及第二蚀刻过程在所述栅极电极线中形成在正交于所述第一方向的第二方向中定向的槽，所述第二蚀刻过程包含经定界过蚀刻量BOA，其设定经定界的物理槽宽度(经定界槽宽度)，且其中所述BOA由从所述存储器装置获取的实际电测试数据来确定，其包含：识别小于(<)来自与过短的所述物理槽宽度相关联的第一电故障模式的所述BOA的更低过蚀刻量，及识别大于(>)来自不同于所述第一电故障模式的与过长的所述物理槽宽度相关联的第二电故障模式的所述BOA的更高过蚀刻量。