[发明专利]一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板有效

专利信息
申请号: 201510695462.4 申请日: 2015-10-22
公开(公告)号: CN105336746B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 张合静 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 何青瓦
地址: 518006 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种双栅极薄膜晶体管及其的制作方法、阵列基板。其中,所述制作方法包括在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层;在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极;在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏极、所述源极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层;以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极。通过上述方式,本发明能够在不增加光罩的前提下,有效改善由于源极和漏极之间的有效沟道长度所引起的漏电问题,提高双栅极薄膜晶体管的电性能,增加其稳定性,简化制造工艺,节省成本。
搜索关键词: 薄膜晶体管 双栅极 漏极 源极 绝缘保护层 刻蚀阻挡层 半导体层 独立电极 制作 简化制造工艺 有效沟道长度 栅极绝缘层 表面形成 第一基板 漏电问题 区域形成 阵列基板 电性能 暴露 光罩
【主权项】:
1.一种双栅极薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层;其中,在所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体层的区域开设有三个开口区域,使对应所述三个开口区域的半导体层暴露;在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极;其中,在所述漏极和所述独立电极之间形成第一沟道,在所述独立电极和所述源极之间形成第二沟道,使对应所述第一沟道和所述第二沟道的所述刻蚀阻挡层暴露;在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏极、所述源极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层;以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极;其中,所述第二栅极被刻蚀第一区域,所述被刻蚀的第一区域相对于所述半导体层的截面积小于或等于所述独立电极的截面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510695462.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top