[发明专利]一种双栅极薄膜晶体管及其制作方法、以及阵列基板有效
申请号: | 201510695462.4 | 申请日: | 2015-10-22 |
公开(公告)号: | CN105336746B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 张合静 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/336;H01L29/786 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种双栅极薄膜晶体管及其的制作方法、阵列基板。其中,所述制作方法包括在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层;在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极;在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏极、所述源极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层;以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极。通过上述方式,本发明能够在不增加光罩的前提下,有效改善由于源极和漏极之间的有效沟道长度所引起的漏电问题,提高双栅极薄膜晶体管的电性能,增加其稳定性,简化制造工艺,节省成本。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 双栅极 漏极 源极 绝缘保护层 刻蚀阻挡层 半导体层 独立电极 制作 简化制造工艺 有效沟道长度 栅极绝缘层 表面形成 第一基板 漏电问题 区域形成 阵列基板 电性能 暴露 光罩 | ||
【主权项】:
1.一种双栅极薄膜晶体管的制作方法,其特征在于,所述方法包括:在第一基板上依次形成第一栅极、栅极绝缘层、半导体层以及刻蚀阻挡层;其中,在所述刻蚀阻挡层覆盖所述半导体层的区域开设有三个开口区域,使对应所述三个开口区域的半导体层暴露;在对应暴露的所述半导体层上依次形成一漏极、一独立电极以及一源极;其中,在所述漏极和所述独立电极之间形成第一沟道,在所述独立电极和所述源极之间形成第二沟道,使对应所述第一沟道和所述第二沟道的所述刻蚀阻挡层暴露;在暴露的所述刻蚀阻挡层以及所述漏极、所述源极、所述独立电极的表面形成绝缘保护层;以及在所述绝缘保护层上相对所述第一栅极的区域形成第二栅极;其中,所述第二栅极被刻蚀第一区域,所述被刻蚀的第一区域相对于所述半导体层的截面积小于或等于所述独立电极的截面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的