[发明专利]一种高产能抽气装置在审
| 申请号： | 201510695875.2 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN106611723A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 杜广宇;廉杰;方仕彩 | 申请（专利权）人： | 沈阳拓荆科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙)21229 | 代理人： | 甄玉荃,陈福昌 |
| 地址： | 110179 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高产能抽气装置，主要解决现有半导体薄膜制备设备中传片模块所配备的真空泵利用率较低及设备产能低等问题，本发明提供一种高产能抽气装置，该抽气装置包括传片模块，上负载模块，下负载模块，角阀A，真空泵A，角阀B，角阀C，真空泵B，角阀D。本发明的抽气装置简单实用，不需要额外增加购置设备，成本较低，并且可增加抽气速率，提高产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 产能 装置 | ||
【主权项】：
一种高产能抽气装置，其特征在于，该抽气装置包括传片模块，上负载模块，下负载模块，角阀A，真空泵A，角阀B，角阀C，真空泵B，角阀D；所述传片模块分别与上负载模块、下负载模块通过螺栓相连接，上负载模块置于下负载模块上方；传片模块与所述角阀D的一端通过管路相连接，角阀D的另一端与角阀C的一端及真空泵B通过管路相连接，上负载模块与角阀A的一端通过管路相连接，下负载模块3与角阀B的一端通过管路相连接，同时，角阀A的另一端与角阀B的另一端通过管路连通后再与所述角阀C的另一端及真空泵A通过管路相连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
