[发明专利]光掩模坯料缺陷尺寸的评价方法、选择方法和制造方法有效
申请号: | 201510695980.6 | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105549322B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 寺泽恒男;木下隆裕;岩井大祐;福田洋;横畑敦 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/84 | 分类号: | G03F1/84 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 杜丽利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 评价光掩模坯料的缺陷尺寸。用检验光照射检验‑目标光掩模坯料并且通过检验光学系统的物镜将用检验光照射的检验‑目标光掩模坯料的区域的反射光作为该区域的放大图像被聚集。接着,识别该放大图像的光强度分布范围中的强度变化部分。接下来,得到该强度变化的光强度的差和得到该强度变化部分的宽度作为缺陷的表观宽度。接着,基于显示光强度的差、缺陷表观宽度和缺陷的实际宽度之间的关系的预定的转换公式计算缺陷宽度,并且评价缺陷宽度。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 坯料 缺陷 尺寸 评价 方法 选择 制造 | ||
【主权项】:
光掩模坯料缺陷尺寸的评价方法,该评价方法为评价其中至少一层薄膜在基体上形成的光掩模坯料的表面中的缺陷尺寸的方法。该评价方法包括步骤:(A1)制备具有其宽度已知并且至少为检验光学系统的标称分辨率的缺陷的参考光掩模坯料;(A2)将该缺陷的位置对准于检验光学系统的检验位置;(A3)设定检验光学系统的光学条件;(A4)用检验光照射参考光掩模坯料;(A5)通过检验光学系统的物镜将用检验光照射的参考光掩模坯料的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集;(A6)识别该放大图像的光强度分布范围中的强度变化部分;(A7)得到该强度变化部分的光强度的最大值与最小值之差Ssat;(B1)制备具有其宽度小于检验光学系统标称分辨率的针孔缺陷的检验‑目标光掩模坯料;(B2)将针孔缺陷的位置对准于检验光学系统的检验位置;(B3)将检验光学系统的光学条件设定为(A3)步骤中设定的光学条件;(B4)用检验光照射检验‑目标光掩模坯料;(B5)通过检验光学系统的物镜将用检验光照射的检验‑目标光掩模坯料的区域的反射光作为该区域的放大图像聚集;(B6)识别该放大图像的光强度分布范围中的强度变化部分;(B7)得到该强度变化部分的光强度的最大值与最小值之差ΔS;(B8)识别该强度变化部分的两端作为针孔缺陷的边缘并且得到该强度变化部分的宽度作为针孔缺陷的表观宽度Wsig;以及(B9)基于以下公式(1)由针孔缺陷的表观宽度Wsig和光强度差Ssat及ΔS计算Wcal,并且将Wcal估算为针孔缺陷的宽度,Wcal=Wsig×(ΔS/Ssat)T (1)其中T为满足0.5≤T≤0.6关系的常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越化学工业株式会社,未经信越化学工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510695980.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种使用洗衣机快速推荐商品的方法及洗衣机
- 下一篇:投影系统及其发光装置
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备