[发明专利]一种低介电常数陶瓷粉体及其制备方法

摘要

本发明公开的低介电常数陶瓷粉体，具有以CaMgSi₂O₆为核、Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)₂O₆为壳的核-壳两层结构；其制备过程主要包括：先以钙的化合物、镁的化合物以及正硅酸乙酯为原料，在900～1200℃煅烧后合成CaMgSi₂O₆粉体，然后将CaMgSi₂O₆粉体放入钙镁铝锌钴等化合物及硅溶胶的去离子水溶液中，在180～220 ℃的反应釜中保温2～8小时，即可获得本发明的陶瓷粉体。本发明所采用的原材料来源广泛易得、制备工艺简单可控，利用烧结温度较低的Ca(Mg,Al,Zn,Co)(Si,Al)₂O₆对CaMgSi₂O₆进行包覆，不但可以保持烧结后陶瓷的优良介电性能，还能优化其烧结性能。

主权项

一种低介电常数陶瓷粉体，其特征在于它具有核‑壳两层结构：中间的核层为CaMgSi₂O₆，外面的壳层为Ca(Mg_{1‑x‑y‑z}Al_xZn_yCo_z)(Si_1‑x/2Al_x/2)₂O₆，其中0.04 ≤ x ≤ 0.1，0 ≤ y ≤ 0.2，0 ≤ z ≤ 0.1，壳层物质与核层物质的摩尔比为0.05～0.3:1。