[发明专利]一种MOS管器件在审
| 申请号： | 201510696234.9 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN106611786A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 马强 | 申请（专利权）人： | 苏州远创达科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 唐灵,常亮 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MOS管器件，该MOS管器件具有两个栅极，其中第一栅极为设置在沟道上方的控制器件开关的普通栅极，第二栅极为设置在LDD区上方控制漏源导通电阻Rdson的新增栅极。在本发明中，通过该第二栅极的调控，一方面可以在器件工作状态下降低漏源导通电阻Rdson，从而降低器件的工作损耗和提高开关效率；另一方面可以在器件关断状态下降低漏源电容Cds、提高漏源之间的阻抗和击穿电压BVdss，从而使器件关断时的隔断能力以及电压摆幅的阻挡能力提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 | ||
【主权项】：
一种MOS管器件，包括衬底，形成在衬底上的源极区、漏极区和沟道区，在所述漏极区和所述沟道区之间设有LDD区，其特征在于：在所述沟道区的上方设有第一栅极氧化层和第一栅极，在所述LDD区的上方设有第二栅极氧化层和第二栅极，该第二栅极上施加的电压正比于第一栅极上施加的电压。
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