[发明专利]一种双结构绒面AZO透明导电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201510696702.2 | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105355673A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 王颖;胡大强;王茜 | 申请(专利权)人: | 辽宁科技大学 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人: | 张群 |
地址: | 114044 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开了一种双结构绒面AZO透明导电薄膜及其制备方法,能够实现良好的陷光效果,进而提高太阳能电池的转换效率。该透明导电薄膜结构依次包括:衬底层、“弹坑”状的陷光绒面层和纳米柱陷光绒面层。该方法的步骤包括:采用磁控溅射法在玻璃衬底层表面上沉积AZO透明导电薄膜;将制备好的AZO透明导电薄膜进行湿法腐蚀;在已制备的“弹坑”状绒面AZO透明导电薄膜上采用水热合成法直接生长纳米柱陷光绒面层。本发明制备方法简单、易操作,不需经过反复的溅射和腐蚀便能得到双结构绒面,制备成本低。 | ||
搜索关键词: | 一种 结构 azo 透明 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种双结构绒面AZO透明导电薄膜,其特征是该透明导电薄膜结构依次包括:衬底层、“弹坑”状的陷光绒面层和纳米柱陷光绒面层,所述的衬底层为玻璃或聚酰亚胺;所述的“弹坑”状陷光绒面层为微米级“弹坑”状的绒面AZO薄膜;所述的纳米柱陷光绒面层为AZO纳米柱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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