[发明专利]二维纳米薄膜制备装置及方法在审
| 申请号： | 201510696896.6 | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN106609392A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 张凯;俞强 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/64 | 分类号： | C30B29/64;C30B23/02;C30B25/02;C23C14/22;C23C16/44;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二维纳米薄膜制备装置，包括衬底储存室，沉积室，取样室，以及样品传送室，所述样品传送室包括样品运送装置，至少用以在样品传送室和能够与所述样品传送室真空级联的衬底储存室、沉积室或取样室之间传送所述衬底和/或样品。进一步还可包括镀膜室等，并且所述镀膜室亦能够与所述样品传送室真空级联。本发明还公开了一种二维纳米薄膜制备方法。藉由本发明的装置及方法可实现二维纳米薄膜材料在硅或其它硬质半导体、介质材料衬底上的大面积直接生长，并能与基于硅工艺的半导体技术加工流水线相匹配，方便后续器件加工与应用，特别是还具有低能耗、可连续自动化作业的优点，工艺可控性、稳定性和重复性高，产品质量稳定优良。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 纳米 薄膜 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种二维纳米薄膜制备装置，其特征在于包括：衬底储存室，至少用于提供衬底；沉积室，至少用以提供适于在所述衬底上生长二维纳米薄膜而形成样品的环境；取样室，至少用以收集所述样品；以及，样品传送室，包括：样品运送装置，至少用以在样品传送室和能够与所述样品传送室真空级联的衬底储存室、沉积室或取样室之间传送所述衬底和/或样品。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，未经中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510696896.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
