[发明专利]一种基于Pd/SnO2/Si异质结的电阻式湿度传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 201510697349.X | 申请日： | 2015-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN105223238A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 凌翠翠;韩治德;郭天超;韩雪 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 266580 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明具体提供了一种二氧化锡薄膜和覆盖二氧化硅层的硅衬底形成n-n同型异质结材料，以钯为催化层的高性能湿度传感器。首先利用溅射方法在二氧化硅覆盖的硅衬底上生长二氧化锡薄膜；然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备比二氧化锡膜面积小的钯催化层。本发明利用钯膜的催化效应和二氧化锡/硅异质结的放大效应制备的钯/二氧化锡/硅异质结湿度传感器具有工艺简单，成本低廉，无需加热器，能在室温下工作，且具有耗能低，灵敏度高，响应、恢复时间短的特点，对水蒸气具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pd sno sub si 异质结 电阻 湿度 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于钯/二氧化锡/硅异质结的电阻式湿度传感器，从上到下依次包括正电极(1)、覆盖钯催化层(2)的纳米二氧化锡薄膜(3)、保留二氧化硅氧化层(4)的n型硅基底(5)、负电极(6)；串联连接正电极(1)、负电极(6)及数字源表(7)，电压为+0.3伏；在室温条件下，在相对湿度为67％的空气中，基于钯/二氧化锡/硅异质结的正向电阻变化较大，在+0.3伏特电压下，湿度传感器灵敏度达142％；最快的响应时间与恢复时间约为550秒和240秒。
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