[发明专利]一种玻璃钝化硅晶圆的背面激光切割方法在审
申请号: | 201510697978.2 | 申请日: | 2015-10-23 |
公开(公告)号: | CN105234563A | 公开(公告)日: | 2016-01-13 |
发明(设计)人: | 郭承造;陈盟舜 | 申请(专利权)人: | 强茂电子(无锡)有限公司 |
主分类号: | B23K26/38 | 分类号: | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/03;H01L21/78 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 任益 |
地址: | 214028 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种可减少玻璃钝化硅晶圆制造工序的背面激光切割方法,包含以下步骤:一、正常玻璃钝化硅晶圆制造,不需要制作背面定位切割道;二、使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割;三、分离芯片晶粒;其中,第二步包括a.玻璃钝化硅晶圆放置在双层透明玻璃片上,该双层玻璃上层有小孔,旁有真空接口;b.双层透明玻璃正下方,放置显微放大镜头和摄像机,依据玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽作为切割定位线,对玻璃钝化硅晶圆进行定位;c.晶圆定位完成后,通过对激光的扩束、聚焦后对钝化玻璃硅晶圆背面进行切割,使用半切穿方式形成激光切割槽。由于不需要在晶圆背面特意制作切割定位线,减少了晶圆制作的工序和操作时间,降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 玻璃 钝化 硅晶圆 背面 激光 切割 方法 | ||
【主权项】:
一种可减少玻璃钝化硅晶圆制造工序的背面激光切割方法,包含以下步骤:第一步,正常玻璃钝化硅晶圆制造,不需要制作背面定位切割道;第二步,使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割;第三步,分离芯片晶粒;其中,使用玻璃沟槽作为定位基准,采用背面激光半切穿方式进行切割包括如下步骤;a.玻璃钝化硅晶圆放置在双层透明玻璃片上,该双层玻璃上层有小孔,旁边有真空接口,方便抽真空时将晶圆吸附固定在玻璃上;b.双层透明玻璃正下方,放置有显微放大镜头和摄像机,依据玻璃钝化硅晶圆正面的沟槽作为切割定位线,对玻璃钝化硅晶圆进行定位;c.晶圆定位完成后,通过对激光的扩束、聚焦后对钝化玻璃硅晶圆背面进行切割,使用半切穿方式形成激光切割槽。
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