[发明专利]一种SiC颗粒表面吸附阴离子的分析检测方法在审
| 申请号： | 201510700074.0 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106610374A | 公开（公告）日： | 2017-05-03 |
| 发明（设计）人： | 苏长伟;白阳;叶猛超;侯健萍;白玮;郭俊明 | 申请（专利权）人： | 云南民族大学 |
| 主分类号： | G01N21/3563 | 分类号： | G01N21/3563 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650500 云南*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 一种SiC颗粒表面吸附阴离子的分析检测方法，通过一系列的处理流程，使SiC颗粒与含有阴离子的电解液彻底分离，利用傅里叶红外光谱仪快速检测到被吸附的阴离子的红外特征峰，进而确定所吸附的阴离子。本发明提供的检测SiC表面吸附阴离子的分析检测方法具有操作流程简单、检测速度快的特点，将在复合电镀等领域具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 颗粒 表面 吸附 阴离子 分析 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC颗粒表面吸附阴离子的分析检测方法，其特征在于：首先，通过有机物液体把吸附阴离子的SiC颗粒与电解液离心分离；再利用红外光谱仪快速测量吸附态SiC颗粒的红外光谱；最后，与含有阴离子的盐的标准红外光谱进行比对分析，确定SiC颗粒是否吸附了阴离子。
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