[发明专利]一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法

摘要

一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，对于同时刻蚀掉多个矩形和刻蚀透多个同一线宽或不同线宽组成的线形，将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(14)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的最小线形的线宽；该方法保证刻蚀条宽间的均一性，解决具有不同条宽结构刻蚀过程中Lag效应的问题，同时，当刻蚀完成时，中心非暴露区域(12)会掉到下面的支撑层(1)上，可以准确判断刻蚀已经完成。此项发明有效的防止具有不同刻蚀条宽的MEMS结构在ICP刻蚀中造成严重过度刻蚀。

主权项

一种SOG‑MEMS芯片中防止ICP过度刻蚀的方法，其特征在于：步骤如下：(1)待加工的SOG‑MEMS芯片，包括：支撑层(1)、结构层(2)、掩膜层(3)；结构层(2)位于掩膜层(3)和支撑层(1)之间，在结构层(2)面向支撑层(1)的一侧刻蚀出多个锚点(4)，每两个锚点(4)之间产生隔离槽(5)；将支撑层(1)和结构层(2)键合在一起并对结构层进行减薄，至所需要的厚度；掩膜层(3)旋涂在结构层(2)上；(2)当需要将待加工的SOG‑MEMS芯片的图形，包括同时刻蚀掉多个矩形(6)和刻蚀透多个同一线宽组成的线形，且该矩形的最短边的边长大于2倍线宽；刻蚀透是指刻透结构层；将光刻板上要刻掉多个矩形中的每个矩形设置中心非暴露区域(12)，使中心非暴露区域(12)与该矩形的边框，即外部非暴露区域(11)，中间形成待刻蚀的暴露区域(13)，且待刻蚀的暴露区域的宽度等于要刻穿的线形的线宽；利用该图形的光刻板对步骤(1)待加工的SOG‑MEMS芯片的掩膜层，进行光刻、显影，将掩膜层光刻出外部非暴露区域(11)、中心非暴露区域(12)和暴露区域(13)，外部非暴露区域(11)和中心非暴露区域(12)被暴露区域(13)分开；暴露区域(13)下的结构层露出；(3)对步骤(2)从暴露区域(13)露出的结构层，进行ICP刻蚀，即垂直于结构层的表面，向支撑层进行刻蚀，直至形成垂直于结构层表面的沟道，使该沟道与步骤(1)的隔离槽连通，掩膜层上的中心非暴露区域(12)和中心非暴露区域(12)正下方的结构层形成悬空结构，悬空结构掉落在支撑层(1)上，停止刻蚀，此时同时刻蚀透多个同一线宽组成的线形下的结构层，完成刻蚀；(4)将步骤(3)处理后的待加工的SOG‑MEMS芯片倒置，步骤(3)的悬空结构掉落，得到步骤(2)需要加工的SOG‑MEMS芯片。