[发明专利]一种基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器

摘要

本发明公开了一种基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器，包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管、第十三CNFET管和第十四CNFET管；第一CNFET管、第三CNFET管、第五CNFET管、第七CNFET管、第十CNFET管、第十二CNFET管和第十三CNFET管为P型CNFET管，第二CNFET管、第四CNFET管、第六CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十一CNFET管和第十四CNFET管为N型CNFET管；优点是信号输出端的充放电路径不会同时导通，在工作过程中不存在短路路径因此减少了短路功耗，并且由于CNFET管本身的高速低功耗特性，相对于现有的基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器时延和功耗均较低。

主权项

一种基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器，其特征在于包括第一CNFET管、第二CNFET管、第三CNFET管、第四CNFET管、第五CNFET管、第六CNFET管、第七CNFET管、第八CNFET管、第九CNFET管、第十CNFET管、第十一CNFET管、第十二CNFET管、第十三CNFET管和第十四CNFET管；所述的第一CNFET管、所述的第三CNFET管、所述的第五CNFET管、所述的第七CNFET管、所述的第十CNFET管、所述的第十二CNFET管和所述的第十三CNFET管为P型CNFET管，所述的第二CNFET管、所述的第四CNFET管、所述的第六CNFET管、所述的第八CNFET管、所述的第九CNFET管、所述的第十一CNFET管和所述的第十四CNFET管为N型CNFET管；所述的第一CNFET管的栅极、所述的第二CNFET管的栅极、所述的第七CNFET管的源极、所述的第八CNFET管的栅极和所述的第十三CNFET管的栅极连接且其连接端为所述的基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器的信号输入端，所述的第一CNFET管的源极、所述的第一CNFET管的衬底、所述的第三CNFET管的源极、所述的第三CNFET管的衬底、所述的第五CNFET管的源极、所述的第五CNFET管的衬底、所述的第七CNFET管的衬底、所述的第十CNFET管的源极、所述的第十CNFET管的衬底、所述的第十二CNFET管的源极、所述的第十二CNFET管的衬底和所述的第十三CNFET管的衬底均接入电源，所述的第一CNFET管的漏极、所述的第二CNFET管的漏极、所述的第三CNFET管的栅极和所述的第四CNFET管的栅极连接，所述的第三CNFET管的漏极、所述的第四CNFET管的漏极、所述的第五CNFET管的栅极和所述的第六CNFET管的栅极连接，所述的第五CNFET管的漏极、所述的第六CNFET管的漏极、所述的第七CNFET管的栅极、所述的第九CNFET管的栅极、所述的第十二CNFET管的栅极和所述的第十四CNFET管的栅极连接，所述的第七CNFET管的漏极、所述的第八CNFET管的漏极、所述的第十CNFET管的栅极和所述的第十一CNFET管的栅极连接，所述的第八CNFET管的源极和所述的第九CNFET管的漏极连接，所述的第十二CNFET管的漏极和所述的第十三CNFET管的漏极连接，所述的第十CNFET管的漏极、所述的第十一CNFET管的漏极、所述的第十三CNFET管的源极和所述的第十四CNFET管的漏极连接且其连接端为所述的基于CNFET的双边沿脉冲信号发生器的信号 输出端，所述的第二CNFET管的衬底、所述的第二CNFET管的源极、所述的第四CNFET管的衬底、所述的第四CNFET管的源极、所述的第六CNFET管的衬底、所述的第六CNFET管的源极、所述的第八CNFET管的衬底、所述的第九CNFET管的衬底、所述的第九CNFET管的源极、所述的第十一CNFET管的衬底、所述的第十一CNFET管的源极、所述的第十四CNFET管的衬底和所述的第十四CNFET管的源极均接地。