[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510702090.3 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN106611789B | 公开（公告）日： | 2019-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；在所述鳍部两侧的半导体衬底表面形成第一隔离结构，所述第一隔离结构的整个表面低于所述鳍部的顶部表面；在所述第一隔离结构中注入离子，且所述离子扩散进入第一隔离结构侧部的鳍部中，在鳍部中形成沟道阻挡层；注入离子后，在鳍部的顶部表面和侧壁形成保护层；以所述保护层为掩膜，刻蚀部分厚度的第一隔离结构，以暴露出所述沟道阻挡层的侧壁；在暴露出的所述沟道阻挡层的侧壁形成扩散阻挡层后，去除所述保护层；去除所述保护层后，在所述第一隔离结构表面形成覆盖所述扩散阻挡层的第二隔离结构。所述方法提高了鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有鳍部；在所述鳍部两侧的半导体衬底表面形成第一隔离结构，所述第一隔离结构的整个表面低于所述鳍部的顶部表面；在所述第一隔离结构中注入离子，且所述离子扩散进入第一隔离结构侧部的鳍部中，在鳍部中形成沟道阻挡层；注入离子后，在鳍部的顶部表面和侧壁形成保护层；以所述保护层为掩膜，刻蚀部分厚度的第一隔离结构，以暴露出所述沟道阻挡层的侧壁；在暴露出的所述沟道阻挡层的侧壁形成扩散阻挡层后，去除所述保护层；去除所述保护层后，在所述第一隔离结构表面形成覆盖所述扩散阻挡层的第二隔离结构。
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