[发明专利]一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件在审
| 申请号： | 201510703267.1 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105158849A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 王定理;傅力;李林松;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/13 | 分类号： | G02B6/13;G02B6/122;G02B1/115 |
| 代理公司： | 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 | 代理人： | 李振文 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铌酸锂光波导器件的制作方法及其器件，本发明方法在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在掩模窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导；制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面进行切割，在光输入端面和光输出端面分别制作有增透作用的介质膜；采用本发明的方法，能显著提高铌酸锂光波导芯片的偏振消光比，改善芯片的光学特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铌酸锂光 波导 器件 制作方法 及其 | ||
【主权项】：
一种铌酸锂光波导器件的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：在x切铌酸锂基片上表面和下表面制作有增透作用的第一介质膜；在介质膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩模窗口；在所述掩模窗口内的铌酸锂基片上表面上制作光波导；为所述光波导制作调制电极；对铌酸锂基片的光输入端面和光输出端面分别进行切割，在所述光输入端面和光输出端面分别制作增透作用的第二介质膜。
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