[发明专利]N型TFT的制作方法

摘要

本发明提供一种N型TFT的制作方法，通过对遮光层进行栅格状图案化处理来控制多晶硅层的不同区域形成结晶差异，使得多晶硅层不同区域的结晶晶粒大小不同，进而仅通过一次离子掺杂制程使得多晶硅层不同区域在掺杂浓度相同的条件下由于晶粒大小不同而产生电阻率不同，实现等同于LDD结构的效果，能够使TFT具有较低的漏电流和较高的可靠性；同时由于只需要一次离子注入，能够节省制程时间和制造成本，减少多晶硅层的损伤，缩短活化时间，有利于柔性显示器的制作。

主权项

一种N型TFT的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上沉积一遮光层，对所述遮光层进行栅格状图案化处理，得到多个相互间隔的独立遮光块(21)；步骤2、在所述多个独立遮光块(21)及基板(10)上依次沉积缓冲层(30)和非晶硅层，并使所述非晶硅层结晶、转化为多晶硅层(40)；所述多晶硅层(40)对应于多个独立遮光块(21)的第一区域(41)的结晶晶粒最小，对应于每相邻两个独立遮光块(21)之间间隔的第二区域(42)的结晶晶粒最大，剩余的第三区域(43)的结晶晶粒适中；步骤3、在所述多晶硅层(40)上沉积栅极绝缘层(50)；步骤4、在所述栅极绝缘层(50)上沉积一层导电薄膜并进行图案化处理，得到栅极导电层(60)；所述栅极导电层(60)位于所述多个相互间隔的独立遮光块(21)的正上方，其两侧均暴露出所述多晶硅层(40)的第三区域(43)与部分第一区域(41)；步骤5、以所述栅极导电层(60)为遮挡层，对所述多晶硅层(40)进行一次N型离子掺杂，所述多晶硅层(40)的第三区域(43)经N型离子掺杂后的电阻率小于所述多晶硅层(40)的部分第一区域(41)经N型离子掺杂后的电阻率，所述多晶硅层(40)的部分第一区域(41)经N型离子掺杂后等同于轻掺杂漏区。