[发明专利]一种发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201510703782.X | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN105390577B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 吴克敏;徐瑾;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的AlN成核层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述AlN成核层为二维平面状，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述AlN成核层和所述未掺杂GaN层之间的GaN成核层，所述GaN成核层为三维岛状。本发明通过在AlN成核层和未掺杂GaN层之间层叠GaN成核层，GaN成核层在生长量子阱时可以避免外延片过度凸起，从而改善外延片波长的均匀性，提高外延片的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的AlN成核层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层和P型层，所述AlN成核层为二维平面状，其特征在于，所述发光二极管外延片还包括层叠在所述AlN成核层和所述未掺杂GaN层之间的GaN成核层，所述GaN成核层为三维岛状；所述AlN成核层的厚度为5-30nm，所述GaN成核层的厚度为5-30nm。
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