[发明专利]一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法。一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法，方法包括：步骤S1：提供一衬底，在衬底上形成虚拟氮化硅栅极；步骤S2：根据虚拟氮化硅栅极，形成PMOS金属栅极；步骤S3：根据虚拟氮化硅栅极，形成NMOS金属栅极。

主权项

1.一种用于虚拟栅极的氮化硅制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S1：提供一衬底，在所述衬底上形成虚拟氮化硅栅极；步骤S2：根据所述虚拟氮化硅栅极，形成PMOS金属栅极；步骤S3：根据所述虚拟氮化硅栅极，形成NMOS金属栅极；其中，所述步骤S1具体包括：步骤S12a：提供一具有隔离结构、P阱区、N阱区的CMOS晶片；步骤S12b：对所述CMOS晶片进行酸槽清洗后，生长一层SiO2层；步骤S12c：于所述SiO2层上沉积高K介质层，并于所述高K介质层上采用原子层沉积方法沉积氮化物层；步骤S12d：对所述氮化物层进行第一离子注入，之后以光刻胶作为掩膜，保留所述P阱区和所述N阱区上方的氮化物层，并进行侧墙的沉积与刻蚀；步骤S12e：对所述P阱区与所述N阱区进行第二离子注入。