[发明专利]阳极场辅磁控溅射镀膜装置有效

专利信息
申请号: 201510704469.8 申请日: 2015-10-27
公开(公告)号: CN105200381B 公开(公告)日: 2018-06-12
发明(设计)人: 张斌;张俊彦;高凯雄;强力;王健 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 兰州中科华西专利代理有限公司 62002 代理人: 方晓佳
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明属于物理气相沉积领域,公开了一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置,该装置包括真空腔体、工件盘和至少两个由电源Ⅰ供电的磁控溅射靶,在相邻的磁控溅射靶之间设有由电源Ⅱ供电的水冷阳极,在真空腔体内形成闭环结构。本发明将等高的水冷阳极和磁控溅射靶复合,增强了离化率的同时提高了腔体等离子体均匀性。
搜索关键词: 阳极 磁控溅射靶 磁控溅射镀膜装置 水冷 电源 等离子体均匀性 物理气相沉积 供电 闭环结构 真空腔体 工件盘 真空腔 等高 离化 腔体 体内 复合
【主权项】:
一种阳极场辅磁控溅射镀膜装置,包括真空腔体、工件盘(4)和至少两个由电源Ⅰ(3)供电的磁控溅射靶(1),其特征在于在相邻的磁控溅射靶(1)之间设有由电源Ⅱ(5)供电的水冷阳极(2),在真空腔体内形成闭环结构;所述阳极(2)是带进气水冷的铜板结构。
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